Innoscience Technology präsentiert zusammen mit der Berner Fachhochschule (BFH) einen mehrstufigen Leistungswandler für 850 VDC-Anwendungen. Für die Referenzdemo kommen 650 V-InnoGaN-HEMT-Leistungsbausteine von Innoscience in einer Multilevel-Topologie zum Einsatz. Mögliche 850 VDC-Anwendungen sind Motortreiber für die Elektromobilität, Solar- und Industrie-Wechselrichter, EV-Schnellladegeräte und zukünftige EV-Antriebsstränge.
Der dreistufige ANPC-Wandler (Active Neutral Point Clamped) basiert auf dem INN650D080BS von Innoscience, einem 650V/80mΩ-HEMT im 8 x 8 mm DFN-Gehäuse. Dabei sind keine Snubber-Kondensatoren oder teure SiC-Dioden erforderlich, was die Systemkosten senkt.
Prof. Timothé Delaforge und Prof. Sébastien Mariéthoz von der BFH haben zusammen an der Entwicklung gearbeitet. Entschieden hätten sie sich für den ANPC-Aufbau, weil er ihnen ermögliche, 850 VDC zu schalten, ohne dass SiC erforderlich sei. 850 V seien hoch genug für viele Industrie- und E-Mobilitätsanwendungen – sogar für EV-Antriebsstränge – wenn beim Schaltungsdesign sorgfältig darauf geachtet werde, parasitäre Effekte zu minimieren.
Quelle: Innoscience
